美光科技（MU）于7月4日宣布，正式启动日本广岛工厂扩建项目，总投资额高达93亿美元。项目的核心是生产高带宽存储器（HBM），以应对人工智能（AI）发展对于高性能存储芯片的迫切需求。
高带宽存储器（HBM）作为英伟达（NVDA）AI处理器不可或缺的组成部分，具有极高的市场价值。预计该工厂将在2028年下半年展开HBM芯片的批量出货，以支持全球AI技术的进步。
近期，美光科技、三星电子和SK海力士（SKHY）均发布了各自的扩产计划，以适应全球半导体产业的高速发展。其中，SK海力士（SKHY）宣布将在韩国清州市投资约514.6亿美元，建设新的NAND存储芯片工厂。
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